摘要: 外存储装置特别是磁盘的磁记录介质,现在广泛使用的是r-Fe₂O₃磁胶。使用磁胶,目前实际可达到的水平是:线密度为200位/毫米,道密度约15道/毫米。今后,随着存储器容量和速度的提高以及成本的下降,将有必要进一步提高记录密度。一般来说,为了提高记录密度,需要把介质层做得更薄并提高矫顽力。为弥补由于介质层变薄而造成的输出幅度降低,有必要提高剩余磁通密度,需要减小磁头浮动间隙以及改进磁头等。其中,最主要的是把介质层做得更薄和减小浮动间隙。对于涂布介质,最近,随着浮动间隙的减小,希望改进抗磁头划盘特性,也就是说,提高介质表面精度,减小磁头负荷,采用磁头接触起动、停止的形式以及使用润滑剂。为了提高记录密度,希望采用薄介质层和定向涂布方