摘要: 序言自从集成注入逻辑（I²L）1和并合三极管逻辑（MTL）2对双极型集成电路产生巨大影响以来,围绕着进一步提高器件的密度和速度展开了大量的研究工作。用标准的隐埋收集极工艺（SBC）生产的 I²L 表明,每个反相器的最小延迟时间在20ns 左右。为了减小这个比较大的传输延迟可以采用离了注入3,肖特基二极管和氧化隔离等更先进的生产工艺。下面将讨论用氧化隔离来实现具有更高组装密度和速度的 I²L 电路。由于它的生产工艺