摘要: 本文描述一种新的非易失性电荷存储器件的结构和工艺。叠栅注入MOS（SIMOS）器件是一种控制栅叠在浮动栅上的n沟道MOS晶体管。在编制程序方式中,用沟道漂移电场加速电子使其能量大到足以克服Si-SiO₂界面的势垒高度,电子就注入到浮动栅。由于程序编制用沟道注入机构来完成,故要求沟道长度小于4μm。用自对准工艺能把这个条件同叠栅概念结合起来,自对准工艺用一道光刻工序确定两个多晶硅栅。用自对准工艺可以实现单管的EPROM单元和单管的EAROM单元。二种不同型式的单管存储单元的基本结构分别为SIMOS晶体管和SIMOS四极管。本文详细地描述了这二种不同的SIMOS器件的工艺并报导了有关电荷积累、清除及电荷保持的实验结果。