摘要: 发现了一种在单晶蓝宝石上利用高温分解 SiH₄来淀积硅薄膜的方法。薄膜的电子衍射和劳埃反射检验都示出了单晶花样。硅薄膜的霍尔迁移率在空穴密度10¹⁷/厘米³时为135厘米²/伏特·秒。制成了电流5毫安时具有1000微姆欧跨导值的绝缘栅场效应晶体管,其尺寸为:源到漏的间距为10微米,作用区宽度为120微米。这跨导值可与在块状硅上制成的同样元件相比较,因此这种晶体管是极有希望的薄膜硅器件。