摘要: 最近 RCA 公司宣称制造了一个微小型实验的薄膜晶体管。该晶体管所用的有源材料是硫化镉.这种化合物比锗、硅及其他半导体材料的绝缘性能要强的多。在制造薄膜晶体管时,在蒸发过程中于玻璃板上相继地淀积硫化镉薄层及金属,制成一个厚度仅为万分之几吋的元件。在蒸发过程中,硫化镉晶体及金属在真空中相继地加热,化为蒸气,聚集在玻璃上。在这个过程中,采用特殊的模罩盖住板上某些部分,于是金属层淀积成一定的形状,构成晶体管所需的各种电接触。在性能相仿的普通晶体管中,两个接触端之间的