摘要: 如图1所示,在增强型MOS晶体管中,把源和漏接在一起并反偏置（V_R<0）,当未加栅脉冲时,I_B只是结的反偏电流。当栅上加负脉冲时,I_B就反过来变成正向电流。这个电流随栅脉冲频率f增加而线性增大,并大致正比于栅面积。由于结是反偏置的,而I_B是正向流动,这就意味着功率从栅脉冲源转换到电池。这种现象就是MOS器件中的电荷泵效应。这个“泵电流”（“pumped current”）现象与每个周期存储在栅电极下面的电荷有关,其中部分电荷在周期结束时与衬底的多数载流子复合形成泵电流I_B。为解释电流的产生,讨论一下反型层的建立与消失过程就清楚了。