摘要: 和一般互补MOS 工艺的六管存储单元相比较,五管存储单元所需要的面积大约只占百分之七十。目前已经研制出在绝缘体上外延硅薄膜（简称ESFI）的存储矩阵,这个矩阵的单元面积为5700微米²（9密耳²）。此外,还提出了一种读出电路和估计了2048单元存储器芯片的典型数据。