摘要: 本文介绍了一种动态MOS RAM测试方法,并且详细地论述了开关电容(或单管)MOS RAM的测试问题。测试程序是从对制造存储器电路的工艺的了解提出来的。首先,评论有关设计弱点和失效模型,得出四种简单的图案灵敏性程序。最后介绍一种进行设计和提高成品率都有效的测试流程。