摘要: 引言目前很多实验室正在研究单管存储单元和采用这种单元的硅片。在最近一次会议上的这方面的文章列于参考资料1～5。要想评价目前的进展,那就必须采用类似于逻辑电路测量延迟-功率乘积的这种方法来进行比较。为此,就提出了单元设计的品质因数和读出/再生放大器的品质因数。本文要讨论各种单元设计的原理。采用最佳设计的一种单元已经制成,并对这个制成单元的特性作了研究。还为1密耳²的存储单元做成了以选通触发器原理为基础的读出/再生放大器。这种触发