摘要: 一概述在毛主席革命路线指引下,在有关单位的大力支援下,我们研制成一种半固定存储器,采用双轴磁心作为记忆元件,以线选不破坏读出方式工作。每台容量为8792字,字长49位,读出时间约300ns。已于去年初投入运行。这种半固定存储器用电流进行写入或清除,信息一经写入后,即可长期可靠地保存,不会被诸如上下电、误操作或其他不正常工作条件所破坏。写入虽系脱机进行,但由于结构上有较大灵活性,因此操作迅速,简便易行。因为联机存储器不包括写入设备,从而使结构紧凑,有利提高速度。磁心体分成16页,当需要写入或改写其中的一页或几页时,其余部分