摘要: 本文报导了一种可重写和非易失性的雪崩注入型存储器的写和清除性能的设计理论及其实验结果。这种存储管具有浮动栅和控制栅的叠栅结构。加在控制栅上的电压控制了因注入电荷引起的晶体管开启电压的偏移,控制栅上的电压减少了漏结的雪崩击穿电压并且加速电子注入到浮动栅。单个晶体管写的时间约为20微秒,对于一个全译码的2048位存储器,用合适占空度的编制程序脉冲,写的时间可小于5秒。清除这种存储器或用紫外线辐射浮动栅或通过电场使浮动栅向控制栅发射电子。本文从理论上分析了电清除,同2K 位存储器的实验结果相比较是成功的。也研究了存储器的保持性能并提出了一种电荷逸出模型。