摘要: 本文描述一个2048单元读/写存储器芯片。它采用改进的N沟道MOSFET工艺的六管存储单元。从价格/性能比和功率-延迟乘积着眼,为发挥给定的MOSFET工艺技术的潜力,采取了一些特殊措施。为保持低功耗,不但用了栅驱动器的概念,而且用了脉冲控制外围电路的概念。获得高性能是用快速外围电路延迟芯选的概念和可提供位线恢复电压的双极读出放大器。所介绍的电路成功地利用在芯片上跟踪的方法,以减少最坏情况下器件参数的容差对功耗和性能的影响。本文还介绍了存储器芯片的封装模块、插件和板所组成的功能存储器部件。