摘要: 本文讨论一种新的静态双极存储器的设计,它在密度方面可以与动态场效应晶体管存储器相当,而在性能与功耗方面较优越。少数载流子直接注入的概念既适用于单元电流,又适用于耦合到读/写线。这就导致了器件非常高的集成度,在采用5μ线宽的标准埋层工艺和单层布线时,单元尺寸达3.1mil²。根据一些包含小矩阵的研究性单片的试验完全证实了这种可能性。单元可在低于100nW 的非常低的直流维持功耗下工作。从模拟64×64位矩阵的测量中可以推算出,一块4K 位的硅片面积大约为160×150mil²,取数时间大约50ns。采用介质隔离和自对准N⁺引线孔的新方法可得到5μ线宽的1.1mil²的单元。