摘要: 一种新型具有最小面积的只读存储器（ROM）已经研制出来。级间使用无比线路,其工艺过程可与使用耗尽型负载的硅栅金属氧化物半导体（MOS）大规模集成（LSI）相容。新型 ROM存储单元的内容由选择 MOS 管的阈值方式决定,或者用增强型或者用耗尽型。和一般的 ROM结构的差别在于后者存储单元内容是由栅氧化层的厚度来区分的。ROM 每单元的尺寸仅196μm²,它较一般的硅栅 ROM 减小45％。