摘要: 叠栅注入MOS晶体管,在读、编码和清除时,利用叠在浮动栅上的控制栅来选择单元。编码是通过由沟道向浮动栅注入热电子来完成的,这就导致了开启电压一个很大的向上漂移。在两种状态下,都是以增强型工作的。电清除能够通过在源-衬底结处雪崩击穿注入热空穴和通过Fowler-Nordheim电子注入来完成。因为在清除时,浮动栅能够被充正电,而且沟道的一部份不被浮动栅覆盖,这样,在清除以后,SIMOS晶体管保证是增强型。在矩阵阵列中,存储单元只由SIMOS晶体管组成。译码器、读出放大器、等等,能够集成在同样的衬度上。清除能成组进行,或一个字一个字地进行。讨论了在编码和清除时,存储单元所受到的不同打扰效应。SIMOS存储器的单元面积是850μm²。给出了全译码8192位SIMOS存储器芯片的照片。