摘要: 本文介绍一种新的V形槽MOS只读存储器（VMOS ROM）,这种静态16K单元的ROM只用一个5V电源,典型及最坏条件下的读出时间分别为160ns和200ns,用6μm设计规范芯片面积是120×140 mil²。制造 VMOS ROM的目的是说明大规模集成（LSI）VMOS工艺是可行的,并引伸出各种线路和工艺实验。依据实验数据对两种新的VMOS工艺技术做了评价,这两种新工艺叫做"线型"（Linear）和"自对准",16K单元ROM的芯片面积将减小到100×120 mil²（6μm规范）。