摘要: 美國國家标准局已試制成一个二極管放大器移位寄存器的实驗模型。这种放大器國家标准局于1954年已开始研制,它的原理是基于半導体二極管的反向暂态導电率現象。当半導体二極管兩端加以順向的电压时,它的導电率很高;加以反向电压时,導电率很低。在順向电压的作用下,电子和空穴通过P-N結,从原來是多数載流子的区域轉移到少数載流子的区域。結果整个半導体就充滿了載流子,使導电率增高。在反向电压的作用下,載流子通过耗尽結从P-N結移到原來的区域,所以導电率就低。当二極管兩端的电