摘要: 在目前的半导体存储器市场上,场效应晶体管工艺(FET)在高密度、使用成本方面是很优越的,然而,对高性能存储器来说,双极工艺是最有用处的。本文的目的是回顾双极存储器件的发展。首先指出早期研制的双极存储器件的密度方面的不足。其次说明借助于新的器件/线路概念所能得到的(比FET 器件性能优越的)高密度超低功耗静态和动态存储器件。重点放在基于由合併晶体管逻辑或集成注入逻辑概念所得出的注入原理的器件上。