摘要: 随着先进设计技术的应用和 N 沟道半导体工艺技术的完善,已研制成一系列全新的 MOS存储器,尤其是4096字×1位的动态存储器克服了原先器件的许多缺点。例如 Motorola-M-CM 6605仅需要一个时钟脉冲,没有与其它信号有严格重迭的要求,它所有的输入及输出是同 TTL 相容,其取数时间仅210 ns。由于它具有高密度、低功耗和高速等特点,因而它很适用于作主存储器。