摘要: 对于传输延迟小于1ns的低功耗高速逻辑门,线路设计和制造都要求最佳参数。重要的是,这些线路中的集成三极管要求基极渡越时间短、基极电阻低以及电容小。可以肯定,离子注入是制造分离晶体管的一种可靠工具。并且这种手段将用于发展中的电路技术。本文将研究氧化物隔离的亚毫微秒逻辑门的速度、功耗与双注入晶体管(基极—硼,发射极—砷)特性的关系。为了比较,对双扩散晶体管(发射极—磷)和普通的PN结隔离线路也要给予评价,门的传输延迟与功耗关系的计算(图5)是用修正了的艾伯-莫尔(Ebrs-Moll)