摘要: 双极型 RAM 也和 MOS RAM 一样,以急剧的速度向高速和大容量方向发展。我们研制成的1024单元双极型 RAM 是最新产品,读出的取数时间已达到25 ns。输出采用标准的TTL 电平,只用一个标准+5V 电源,功耗平均为500 mW,这种存储器具有很好的通用性。这样高速度大容量的存储器是怎样研制成的呢?下面以设计上的考虑为主介绍这个1 KRAM。要想使半导体存储器容量大,仅仅过分地增大芯片尺寸,由于成品率差,是得不到合格产品的,所以除了不断减小芯片上每个单元占有面积外是没有其它办法的。对于双极型存储器,由于提高了集成度,通常相应地减少了杂散电