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用MESFET的亚毫微秒集成开关电路
田公兴
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大规模集成高速逻辑电路要求基本开关电路不仅尺寸要小,而且要有良好的速度-功率乘积。在这方面的各种研究中,目前有少数几种方法在互相竞争。注入逻辑(I
2
L)双极系列的优质数的典型数据约为0.1pJ,但测到的每个门的传输时间,从来都没有降到几个毫微秒以下过,用ED-MOS,已在亚毫微秒范围得到比较好的速度-功率乘积。但是发表的最短延迟时间是用一个扇入和一个扇出测的,不能真正表示真实大规模集成电路的实际性能。
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