半导体二极管开关特性的一般模型
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摘要: 文中提出一个新的P—N結二極管电荷控制模型,在这个模型中分别采用时常数τF和τR来使正向电流IF及反向电流iR与存儲于基区的电荷Q联系起来。分析了正常开关运用的反向开关瞬态特性,这时存在恆流阶段(存儲阶段)和电流衰减阶段。也分析了过驅动开关运用的反向开关特性,这时不存在恆流阶段。导出了新的开关时間方程式。这些方程用可测量的器件参数τF、τR、Cj、外线路可变值IF和IR、以及一外线路参数R表示。所提出的模型可用于任何类型的P—N結二極管。文中还给出了用各种类型二極管所得到的实驗結果。实驗結果与理論完全符合。
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