摘要: 本文介绍一个高速16K位动态MOS随机存储器（RAM）的方案。这个存储器采用了先进的n沟道硅栅MOS工艺（5μm 光刻技术）制成的面积为22×36μm²的单管单元。设计的主要特点是采用一个具有高速度（读取时间为200ns）和低功耗（400ns 周期内为600mw）的读出线路图。全译码存储器制在5×7mm²的芯片上,并装配在22引线陶瓷的双列直插式封装内。