摘要: 最近ISSCC(国际固态线路会议)上宣布,速度低于50 ns的存储器有希望用两种MOS工艺来做。这就预示静态MOS随机存储器侵入了被双极随机存储器所占据的高速缓存的领域。二月间,在费城召开的国际固态线路会议上,有两个公司宣布了两种新的MOS工艺。Intel Corp.使用的是先进的氧化隔离工艺,而American Microsy-stems Inc.则报导用他们的V型槽工艺。主存主要是用150 ns～300 ns周期的动态MOSRAM,而缓存系统几乎被静态双极RAM所独占。在30多种256单元和1024单元的TTL器件和ECL器件做成的RAM中,美国加州的仙童半导体公司(Fair-child Semiconductor,Mt.View,Calif.)主要提供了这种RAM。至于用在缓存的MOS器件现在唯一可得到的是Intel Corp、的2115和2125,速度为70 ns,这也仅用于最慢的系统中。