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高集成度70兆静态移位寄存器
D.Kasperkovitz
,
徐兴声
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最近几年期间,LSI 双极型存储器的领域,已经蓬勃开展起来。最显著的发展是集成密度的提高。1969年已报导,单元密度静态存储器为74单元/毫米
2
,动态存储器为144单元/毫米
2
。这些指标敌得过 MOS 存储器的最高单元密度,静态 MOS 存储器为53单元/毫米
2
,动态 MOS 存储器大约为180单元/毫米
2
。另一个重要发展是功耗大大降低。
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