摘要: 本文提出了一种4K 动态MOS 随机存储器（RAM）的方案,该方案采用每位三管的单元,其面积小于2密耳²/位,采用n 沟道硅栅MOS 工艺。芯片只需要一个时钟脉冲,并且内部产生所需的多相时钟脉冲。所有的输入和输出与高电平的时钟脉冲不同,其电平与TTL 相配。