摘要: 动态MOS集成电路的电荷保持时间性能是判断能否引入一个新工艺的最重要因素之一。工艺条件的大改变,如薄栅氧化层,高掺杂浓度,源-漏结深浅,这些都是做短沟道MOS管或高密度器件免不了要采用的。在这样工艺条件下,靠近漏端由于离子注入作用,衬底电流会大大增强。然而,涉及衬底电流使器件性能降底的文章却很少。本文介绍了衬底电流对三管存储单元保持时间性能影响的研究。