摘要: 本文说明从前发表的直流稳定的全晶体管存储单元的一种改进型式,它能减少高速写入时需要的写入电流。而且,它引进一自供电机构。在约为1μA 的小的单元维持电流时改进写入速度达10倍。此外,采用浅的结构和紧凑的设计规则,单元面积减少了40%达9mil²。