摘要: 本文介绍一种存储校正技术,可将只能检测单错的奇偶校验扩充到可以校正固定单错和校正故障时间超过两个读写周期的间歇型单错。实现这种校正技术只要在一般的存储控制电路中多用几块“与-非”电路便可。当执行校正时,须要多耗用一个存储周期,进行校正。本文给出校正算法,详细分析了校正范围,并简要介绍该算法在一个8K磁心存储器中实现的情况。该算法不但适用于磁心存储系统,尤其适用于牛导体存储系统。