摘要: 本文讨论多扇出能力并保持低功耗运行显示高速工作的一种改进的I²L结构。这种新的"反扩散"（"up-diffused"）结构是用这样的方法制造的,肖特基二极管能很容易地被结合。用附加的肖特基箝位于npn开关管的集极和基之间,能达到低于2.5毫微秒的门延迟。符号表 C 电容（法拉） D_n 基区电子扩散常数（cm²/s） D_p 发射区空穴扩散常数（cm²/s） I_n 发射极电子电流（安培） I_p 发射极空穴电流（安培） L_n 基区中电子扩散长度（厘米） L_p 发射区中空穴扩散长度（厘米） N_AB 基区的授主杂质浓度(厘米^-3)