摘要: 前言本文叙述TMS 4062型MOS 存储器的构造和原理,确定了一个容许容量扩展的方法,此外还介绍了一个4K×8位存储器及其读写系统。MOS 存储器的发展已有若干年,存储单元一般由两个负反馈交叉耦合的静态单元(图1a)组成。在这种单元里,两个晶体管中的一个总是通导的,此通导的晶体管便产生功耗。为减少此功耗,最简单的解决方法是利用时钟信号控制每个单元的负载电阻(图1b)。若时