摘要: 对于延迟时间为1毫微秒以下,并且具有低功耗的高速逻辑电路,在电路设计与工艺方面都要求取最佳的参数。虽然利用埃伯斯-莫尔(Ebers-Moll)模型或者其改进的模型可以计算电路参数,但是,为了得到可靠的结果,一般说来,晶体管实验数据还是需要的。因为这些数据都是直接和工艺流程以及晶体管的尺寸相关。对于快速逻辑电路而言,基极渡越时间短,低基极电阻以及结电容要小,都是十分重要的。高速晶体管射极掺砷较为合适。然而,发展成一种可行的扩散工艺是有困难的。离子注入技术提供了一种有效的克服工艺缺点的方法。文献2～7的许多作者建立了一种离子