摘要: 本文叙述了一个16K 单元动态随机存储器（RAM）,所有输入都与 TTL 相容,使用标准的16引线封装。存储单元为单管,单元面积为455μm²。器件采用常规设计规则的 n-沟道两层多晶硅栅工艺。芯片尺寸为145×234mil²。每64个存储单元用一个低功耗的读出放大器。采用一种特殊的再生方式,即256个读出放大器同时工作,因此,整个存储器可在64个地址周期内完成再生。