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    两相等离子体耦合静态移位寄存器

    • 摘要: 设计一种用标准双极型工艺制备的、实验性二位等离子体耦合移位寄存器时,发现由于去掉了双基极二极管,使现有的等离子体耦合器件(PGD)概念简化,不仅减少了功耗及容易制造,并且也使基本单元进一步引人注目地简单。新器件在3兆周时钟频率下,平均功耗为200微瓦/位。用10微米宽的线条和10微米布线间距时,位密度为135位/平方毫米。如果采用介质隔离及更紧容差布图,则位密度可达900位/平方毫米,予计功耗为80微瓦/位。

       

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