摘要: 前言由于MOS器件比双极器件包含较少的制造步骤,因而用它们来做成廉价的大容量存储器是很实际的1。大规模集成MOS存储器(表1)的迅速发展开始于1970年的256单元的MOS器件2。其后转为用电容作为存储数据的动态单元3以及制造工艺的改进使增加组装密度成为可能。动态的1024单元的器件已经组成UNIDATA及其它形式的计算机中的标准硬件。我们为未来的存储器4已研制成二个4096单元N沟道硅栅工艺的MOS器件