摘要: 1.前言圆柱形镍铁磁膜记忆元件的磁通沿圆柱周线形成闭合磁路,这样便没有退磁场的问题,故可研制实用的厚磁膜。随着磁膜厚度的增加,输出讯号幅度也随之增大,在讯号幅度和所要求的读出驱动脉冲上升时间之间进行权衡,从而可降低对上升时间的要求。在读出上升时间为20毫微秒时,得到的讯号幅度大于±15毫伏。与薄磁膜相比,速度要差一些,但却有可能构成大容量存储器。实际上,由于系统延迟时间较长,尽管薄膜的开关时间很短,