摘要: 以前已经介绍过一种4096×1双极型动态RAM。这里将介绍一种采用同样单层布线（I³L）工艺、管腿兼容的16384×1动态RAM。这种16K存储单元由两支NPN、PNP晶体管组成。存储保持在NPN晶体管的集-基电容上,该晶体管产生β倍的电荷读出。由外围读出-驱动电路确定的单元尺寸是0.7 mil²,用单层布线的存储器芯片尺寸为26000 mil²。地址译码是借助于如图1所示的快速、低功耗树译码结构实现的。从两个地址引线来的输入信号被预先译码,在四个缓冲输出中得到一个高电平信号。然