摘要: 磁膜存贮元件的磁路是经空气而形成闭合回路。在磁膜存贮矩阵中,周围存贮单元所产生的附加磁场可以与外加场相比较。当与存贮单元同一位上的其他各个单元的磁化向量都在同一方向,而其他所有单元都与存贮单元磁化向量取向相反时,附加场合成后就形成最大的有害纵向场。该纵向场可能使存贮单元磁化翻转,也即是使所存信息破坏。此纵向附加场增加了写信息所需的位场而降低了使信息破坏的位场阀值,也即降低了位场容限。