摘要: 自从1972年 IBM 公司采用自己设计的2 K 位MOS RAM 作为主存器件以来,其它半导体厂家已大量生产4K、16K 和64K 位的存储组件,但该公司却一直没有更换过它自己设计的这种组件。现在该公司宣布它已设计成18K、32K 和64K 位的 MOS RAM 组件。但是这些新宣布的组件的设计却是与众不同的。它的面积较大,速度较慢,功耗较大和采用多种电源。此外,它还采用冗余存储单元和内设的可编程序的 ROM 以去除坏的单元等。这个芯片采用投影光刻技术和2.5微米的设计规划。这些几乎已是同类工艺的尽头。此外,还采用双层金属工艺。MOS 晶体管采用金属栅,其第二层金属在聚酰亚胺(Polyimide)绝缘层上面作为列方向的联线。