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    亚毫微秒领域低延迟-功率乘积的改进反馈ECL门

    • 摘要: 反馈ECL门是很适合于作为高速LSI电路的基本单元。遗憾的是,对于较高电压摆幅,这种门有一个降低抗干扰的滞后(hystersis)。本文将从理论上论证如何消除滞后,以及如何用射极电阻来优化转换特性。对于这种门,用目前已有工艺的参数来模拟评价,其功耗为1.6毫瓦,传播延迟时间小于0.6毫微秒。

       

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