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    4K单元n沟道MOS随机存储器及其应用

    • 摘要: 本文介绍MIL 公司(微系统国际有限公司)研制的4096单元n 沟道MF 7112型MOS随机存储器(ARM)和用这种组件组装成的256K 位组存储器。在设计这种组件和系统时,应注意的事项如下:(1)从设计到制造和使用时,存储器的半数以上的成本与组件、组装、测试、可靠性以及功耗有关。在力求降低成本的同时,需要组成能满足各种应用且灵活性大的存储器。从这种观点出发,首先采用数据输入,数据输出和地址在时间上分开,用共用总线传送的方式。存储元件具有能满足这种要求的功能时,存储器插件的引线端数减少,组装和连接器的成本下降。这

       

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