摘要: 动态绝缘栅场效应晶体管(IGFET)双稳电荷读出放大器的分析指出,最佳的自锁(Iatching)波形是一个初始阶跃电平后面接着斜率逐渐增加的斜坡电压。自锁建立时间近似反比于非平衡的初始电压。在截止边不通导时,触发器两端的容性耦合也对截止边产生一个过冲电压。用10V自锁斜坡,截止边的过冲电压典型值约为2V,而且对于0.5V的初始非平衡电压,大约在75 ns内达到充分自锁。若允许截止边有微小的通导,那末自锁时间可减小两倍或更多。其代价是在截止边增加零点几伏的过冲电压。用计算机作电路模拟证实了这个分析推导。