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隧道二极管存储单元的模拟分析(上)
别所照彦
,
塚田启一
,
廖萃淇
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本文首先提出了利用电流读出型的隧道二极管作为高速存储单元,它利用两个辅助二极管的非线性负载特性进行读出及写入。采用这种方案设计存储器时,必须适当地确定关于存储单元的构成元件及驱动波形的各参数值。为此,根据二极管限幅器,用折线近似表示隧道二极管及读写用的二极管的非线性伏安特性,然后用模拟计算机求解满足上述存储单元的微分方程式,并求出上述各个量之间的定量关系。
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