摘要: 文献12曾经指出I²L门的最小传播延迟时间是向上渡越时间以及向上和向下电流增益的递增函数。另一方面,功耗一延迟积随电压摆幅和门电容的减少而减少。文献3证明了用肖特基接触代替开关晶体管的集—基结可以减小电压摆幅和向下电流增益,从而在整个功率范围内加快了门的速度,因为从工艺观点来看,在n型材料上制造肖特基接触是比较容易的。故开关晶体管必须具有一个n型基区仁图I（a）,（b）,所以,这种器件中的晶体管其射-基结是pn结,而基-集结则是n-金属的肖特基接触,这就是伯格和维得曼所谓的PNM晶体管3。