摘要: 本文介绍一种采用双层n沟道多晶硅栅工艺的全译码（与TTL相容）电改写8K位MOS ROM。存储单元由叠栅结构的单管组成,其浮动栅只盖住沟道的一部分,并扩展到沟道外的源扩散区的清除复盖层上。通过热电子从短沟道（3.5μm）注入到浮动栅来编码,典型的为100ms/字。通过电子从浮动栅的Fowler-Nordheim 发射完成成组清除。在清除期间,为了避免雪崩击穿电流过大,在清除复盖层加了40nm～50nm 的氧化层并采用了斜坡电压。存储器在读、编码和清除操作中用标准电压（±5V,+12V）,编码用一个高压单脉冲（+26V）,斜坡清除电压最大值为+35V。典型的读出时间为250ns。从存储实验数据外推法（Extrapolation of storage data）(在125℃,400小时)可以予示,90%以上的存储电荷可望保持100年以上。每个存储单元允许写入次数在10000次以上。面积为19.7mm²的芯片装在24引线双列直插式封装中。